A APLIKACE SPECIFIKACÍCH FDN359AN
Elektronické díly: FDN359AN 
Výrobce: Fairchild Semiconductor
Balení:
Aplikace:
Špendlíky:
Teplota: Min °C | Max °C
Velikost: KB
FDN359AN PDF
Datasheet PDF :
FDN359AN PODOBNÉHO MODELU:
- FDN352AP
- FDN352AP0508
Single P-Channel, PowerTrench MOSFET - FDN352APNBSP
Single P-Channel, PowerTrench - FDN352AP_0508
Single P-Channel, PowerTrench MOSFET - FDN357N
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor - FDN358
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor - FDN358P
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor - FDN359
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET - FDN359AN
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET - FDN359BN
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET