A APLIKACE SPECIFIKACÍCH FDN359BN
Elektronické díly: FDN359BN 
Výrobce: FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
Balení:
Aplikace:
Špendlíky:
Teplota: Min °C | Max °C
Velikost: KB
FDN359BN PDF
Datasheet PDF : View
FDN359BN PODOBNÉHO MODELU:
- FDN352AP
- FDN352AP0508
Single P-Channel, PowerTrench MOSFET - FDN352APNBSP
Single P-Channel, PowerTrench - FDN352AP_0508
Single P-Channel, PowerTrench MOSFET - FDN357N
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor - FDN358
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor - FDN358P
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor - FDN359
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET - FDN359AN
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET - FDN359BN
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET